TYPE | DESCRIPTION |
产品 | Phototransistors |
封装 / 箱体 | T-3/4 |
安装风格 | Through Hole |
峰值波长 | 825 nm |
工作电源电压 | |
开启状态集电极最大电流 | 50 mA |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 32 V |
集电极—射极击穿电压 | 32 V |
集电极—射极饱和电压 | 300 mV |
暗电流 | 200 nA |
上升时间 | |
下降时间 | |
Pd-功率耗散 | 100 mW |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 100 C |
系列 | |
资格 |
1
4.7274
4.7274
10
3.087
30.87
100
2.0228
202.28
500
1.9737
986.85