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| TYPE | DESCRIPTION |
| 产品 | Phototransistors |
| 封装 / 箱体 | T-3/4 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 峰值波长 | 825 nm |
| 工作电源电压 | |
| 开启状态集电极最大电流 | 50 mA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 32 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 32 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 300 mV |
| 暗电流 | 200 nA |
| 上升时间 | |
| 下降时间 | |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 系列 | |
| 资格 |
1
4.7274
4.7274
10
3.087
30.87
100
2.0228
202.28
500
1.9737
986.85
